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IXFH6N100中文资料

IXFH6N100图片

IXFH6N100外观图

  • 大小：77.8KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：HiPerFET Power MOSFETs
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HiPerFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2600pF @ 25V
  • 功率 - 最大：180W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247AD
  • 包装：管件

IXFH6N100供应商

更新时间:2023-01-02 17:41:10
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